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Tutorial MenueSensorikLerneinheit 7 von 7

Elektrochemische und elektronische Detektionsverfahren in der Sensorik

Aufbau von Feldeffekttransistoren

Abb.1
Aufbau und Wirkungsweise eines FET

Die im Applet (Abb. 1) gezeigte Anordnung lässt sich auch als Dreielektrodenverstärkerelement auffassen, den Feldeffekttransistor. Seine drei Elektroden bezeichnet man als Source (S, "Quelle"), Drain (D, "Senke") und Gate (G, "Tor"). Dabei handelt es sich um einen MOSFET (engl. metal oxid semiconductor field effect transistor). Hier wirken die in das p-leitende Silicium hereindiffundierten n + -Gebiete als Source und Drain.

Bei Anlegen einer gegenüber S positiven Spannung an D, kann außer einem geringen Sperrstrom (Drainreststrom) kein Drainstrom I D fließen (Fall 1 (Abb. 1) ). Legt man nun eine gegenüber S genügend große Gatespannung V G an, so lädt sich die Halbleitergrenzfläche Metall/Isolator negativ auf, was zur Inversion des Ladungstyps führt (Fall 2 (Abb. 1) ). Es bildet sich ein n-leitender Kanal an der Oberfläche des Halbleiters, der Source und Drain verbindet und durch den ein Strom I D fließen kann.

Funktionsweise und Kennlinie eines MOSFET

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