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Metal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorZoomA-Z

Fachgebiet - Elektrotechnik

Ein Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) ist ein Feldeffekttransistor. Er besteht aus einem halbleitenden Substrat (z. B. Silizium), das schwach p- (oder n) dotiert ist (Bulk). In das Substrat sind zwei stark n- (oder p-) dotierte Gebiete eingelassen, die als Source- bzw. Drain-Anschluss dienen und durch eine nicht leitende Oxidschicht (meist SiO2) mit einer leitenden Schicht (früher meist Aluminium), dem Gate, verbunden werden.

Die Kombination Bulk/Isolierschicht/Gate bildet dabei einen Kondensator, dessen elektrisches Feld den Stromfluss zwischen Source und Drain kontrolliert.

Für das Gate wird heute an Stelle des Metalls bevorzugt polykristallines Silizium (n- oder p-dotiert) eingesetzt. Daher wird auch die neutrale Bezeichnung IGFET (Isolateted Gate FET) für diese Bauelemente verwendet.